Результаты поиска(0) Все товары
    Категории

      Модуль транзистора FZ1600R12KL4C

      В наличии Код: FZ1600R12KL4C
      12 173 900 сум / шт.

      Описание

      Производитель: Infineon  
      Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)  
      RoHS: N  
      Продукт: IGBT Silicon Modules  
      Конфигурация: Dual Common Emitter Common Gate  
      Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V  
      Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.1 V  
      Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 2450 A  
      Ток утечки затвор-эмиттер: 600 nA  
      Pd - рассеивание мощности: 10 kW  
      Упаковка / блок: IHM  
      Минимальная рабочая температура: - 40 C  
      Максимальная рабочая температура: + 125 C  
      Упаковка: Tray  
      Высота: 38 mm  
      Длина: 140 mm  
      Технология: Si  
      Ширина: 130 mm  
      Торговая марка: Infineon Technologies  
      Вид монтажа: Chassis Mount  
      Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V  
      Тип продукта: IGBT Modules
      Показать все

      К данному товару отзывов пока нет.

      Модуль транзистора FZ1600R12KL4C

      В наличии Код: FZ1600R12KL4C
      12 173 900 сум / шт.
      Banner m1 Banner m1