Характеристики MSO7014

Характеристика				Значение
Полоса пропускания				100 MГц
Режим дискретизации				Реальное время
Количество каналов				4 аналоговых + 16 цифровых + внешний запуск
Макс. скорость захвата осциллограмм				≥600000 осц./сек
Регистрация		Режим		Обычный Пиковый детектор: 400 пс Усреднение (2, 4, 8, 16…65536 выборок)
		Макс. дискретизация (реальное время)		Аналоговые каналы: 10 Гвыб/сек (5 Гвыб/сек - два канала; 2,5 Гвыб/сек - четыре канала)
				Цифровые каналы: 1,25 Гвыб/сек на канал
		Глубина записи		Аналоговые каналы: 100 М точек (50 М точек - два канала; 25 М точек - четыре канала) - штатно 250 М точек (125 М точек - два канала; 50 М точек - четыре канала) - опция 2RL 500 М точек (250 М точек - два канала; 125 М точек - четыре канала) - опция 5RL
				Цифровые каналы: 62,5 М точек
Параметры вертикальной системы		Аналоговые каналы
		Связь по входу		открытый, закрытый
		Входной импеданс		1 MОм ±1% || 17 пФ ±3 пФ
		Учет ослабления пробников		0.01X, 0.02X, 0.05X, 0.1X, 0.2X, 0.5X, 1X, 2X, 5X, 10X, 20X, 50X, 100X, 200X, 500X, и 1000X
		Определение пробников		автоматическое определение пробников Rigol
		Макс. входное напряжение	1 МОм	300 Вскз CAT I, 400 Впик; переходное перенапряжение 1600 Впик
			50 Ом	5 Вскз
		Вертикальное разрешение		8 бит
		Вертикальное отклонение	1 МОм	1 мВ/дел ~ 10 В/дел
			50 Ом	1 мВ/дел ~ 1 В/дел
		Диапазон смещения	1 МОм	±1 В (1 мВ/дел ~ 80 мВ/дел) ±30 В (51 мВ/дел ~280 мВ/дел) ±100 В (285 мВ/дел ~ 10 В/дел )
			50 Ом	±1 В (1 мВ/дел ~ 100 мВ/дел) ±4 В (102 мВ/дел ~1 В/дел)
		Динамический диапазон		±5 дел (8 бит)
		Ограничение полосы пропускания		20 МГц
		Погрешность коэфф. усиления		±2% от полной шкалы
		Погрешность смещения		<200 мВ/дел: ±0,1 дел ±2 мВ ±1,5% смещения ≥200 мВ/дел: ±0,1 дел ±2 мВ ±1% смещения
		ESD защита		±8 кВ (на входе BNC)
		Изоляция между каналами		≥40 дБ
		Цифровые каналы
		Группировка каналов		16 каналов (D0 ~ D15) 2 группы (D0 ~ D7, D8 ~ D15)
		Диапазон порогов		±20 В с шагом 10 мВ
		Погрешность установки порога		±(100 мВ + 3% от установленного значения)
		Уровень порогов		TTL (1,4 В) 5,0 В CMOS (+2,5 В); 3,3 В CMOS (+1,65 В) 2,5 В CMOS (+1,25 В); 1,8 В CMOS (+0,9 В) ECL (-1,3 В) PECL (+3,7 В) LVDS (+1,2 В) 0 В Настраиваемые пользователем