MSO8104, Hi-End 1GHz real vaqtda, raqamli osiloskop

MSO8104 Texnik xususiyatlari
Tarmoqli kengligi 50 Ohm 1000 MGts
2000 MGts (variant MSO8000-BW10T20)
Barcha kanallar yoqilgan bo'lsa, maksimal tarmoqli kengligi (o'rnatilgan MSO8000-BW10T20 opsiyasini hisobga olgan holda) 1 GGts bilan cheklangan
1 Mohm 500 MGts
Namuna olish rejimi
Haqiqiy vaqt
Kanallar soni 4 analog + 16 raqamli (opsiya RPL2316) + tashqi sinxronizatsiya kiritish
Maksimal to'lqin shaklini olish tezligi
≥600000 osc/s
Ro'yxatdan o'tish rejimi Oddiy
Tepalik detektori: 400 ps
Oʻrtacha (2, 4, 8, 16…65536 ta namunalar)
Yuqori aniqlik: 12 bit
Maksimal diskretizatsiya (real vaqt)
Analog kanallar:
10 GS/s (5 GS/s - ikkita kanal; 2,5 GS/s - barcha kanallar)
Barcha kanallar yoqilgan bo'lsa, namuna olish tezligi 2,5 GSa/s ni tashkil qiladi va maksimal tarmoqli kengligi (MSO8000-BW10T20 opsiyasi o'rnatilganda) 1 GGts bilan cheklangan
Raqamli kanallar:
Har bir kanal uchun 1,25 Gnamuna/s
Yozib olish chuqurligi Analog kanallar:
500 M ball (250 M ball - ikkita kanal; 125 M ball - barcha kanallar)
Raqamli kanallar:
62,5 M ball
Vertikal tizim parametrlari Analog kanallar
Kirish aloqasi ochiq, yopiq
Kirish empedansi
1 MOhm ± 1% || 19 pF ± 3 pF, 50 Ohm ± 1%
Zond susaytirishini hisobga olish
0.01X, 0.02X, 0.05X, 0.1X, 0.2X, 0.5X, 1X, 2X, 5X, 10X, 20X, 50X, 100X, 200X, 500X, 1000X, 2500X0, 2000X0, 0000X
Probni aniqlash avtomatik probni aniqlash Rigol
Maksimal kirish kuchlanishi 1 MOhm
300 Vrms CAT I, 400 Vpeak; vaqtinchalik ortiqcha kuchlanish 1600 Vpeak
50 Ohm 5 Vscs
Vertikal ruxsat
8 bit
Vertikal burilish 1 Mohm
1 mV/div ~ 10 V/div
50 Ohm 1 mV/div ~ 1 V/div
Ofset diapazoni 1 Mohm
±1V (1mV/div ~ 50mV/div)
±30 V (51 mV/div ~ 260 mV/div)
±100 V (265 mV/div ~ 10 V/div)
50 Ohm ±1 V (1 mV/div ~ 100 mV/div)
±4 V (102 mV/div ~1 V/div)
Dinamik diapazon ±5 div (8 bit)
Tarmoqli kengligi chegarasi 1 Mohm
20 MGts, 250 MGts; har bir kanal uchun tanlanadi
50 Ohm 20 MGts
To'liq masshtabning ±2% aniqligini oling
Ofset xatosi
<200mV/div: ±0,1div ±2mV ±1,5% ofset
≥200mV/div: ±0,1div ±2mV ±1% ofset
ESD himoyasi
±8 kV (BNC kirishida)
Kanaldan kanalga izolyatsiyasi ≥ 100:1 (DC ~ 1 GHz), ≥ 30:1 (> 1 GGts)
Raqamli kanallar
16 ta kanalni guruhlash (D0 ~ D15)
2 guruh (D0~D7, D8~D15)
Eshik diapazoni ± 20 V, 10 mV qadam bilan
Eshik o'rnatish xatosi ±(100 mV + belgilangan qiymatdan 3%)
TTL chegara darajasi (1,4V)
5,0V CMOS (+2,5V); 3,3V CMOS (+1,65V)
2,5V CMOS (+1,25V); 1,8V CMOS (+0,9V)
ECL (-1,3V)
PECL (+3,7V)
LVDS (+1,2V)
0 B
Foydalanuvchi sozlanishi
Maksimal kirish kuchlanishi
±40 V tepalik CAT I; vaqtinchalik ortiqcha kuchlanish 800 Vpeak
Maksimal dinamik diapazon
±10 V + chegara qiymati
Minimal kuchlanish tebranishi 500 mVp-p
Kirish empedansi ~101 kOm || 8 pF
Vertikal ruxsat 1 bit